- 四款新设备提升工业设备的能效与功率密度 -
日本川崎市--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET,搭载其新款[1] 第3代SiC MOSFET芯片,采用紧凑型DFN8x8封装,适用于开关电源和光伏发电调节器等工业设备。这四款设备“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出货。
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这款新品是首批采用小型贴片DFN8x8封装的第3代SiC MOSFET,与TO-247和TO-247-4L(X)等传统的引线封装相比,体积缩小超过90%,显著提升了设备的功率密度。贴片封装还能使用比引线封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。DFN8x8采用4引脚[3]封装,支持对门极驱动信号源端进行Kelvin连接,有效减少封装内源极线的电感影响,实现高速开关性能;以型号TW054V65C为例,其开启损耗降低约55%,关断损耗降低约25%[4],相比Toshiba现有产品[5],有助于减少设备的功率损耗。
Toshiba将持续扩展其产品阵容,助力提升设备能效并增强功率处理能力。
注释:
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月,数值由Toshiba测量。详情请参阅Toshiba网站上此版本中的图1。
[5] 采用TO-247封装(无Kelvin连接)的650V第3代SiC MOSFET,等效电压和导通电阻。
应用领域
特点
主要规格
(除非另有说明,Ta =25℃) | |||||||
产品型号 | |||||||
封装 | 名称 | DFN8x8 | |||||
尺寸(毫米): | 典型 | 8.0×8.0×0.85 | |||||
绝对最大额定值 | 漏源电压 VDSS (V) | 650 | |||||
栅源电压 VGSS (V) | -10 至 25 | ||||||
漏极电流 (DC) ID (A) | Tc =25°C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) | VGS =18V | 典型 | 31 | 54 | 92 | 123 |
栅极阈值电压 Vth (V) | VDS =10V | 3.0 至 5.0 | |||||
总栅极电荷 Qg (nC) | VGS =18V | 典型 | 65 | 41 | 28 | 21 | |
栅漏电荷 Qgd (nC) | VGS =18V | 典型 | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
输入电容 Ciss (pF) | VDS =400V | 典型 | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
二极管正向压降 VDSF (V) | VGS =-5V | 典型 | -1.35 | ||||
样品检查及供应情况 |
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工,以实现产品价值最大化,与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来,让全世界的所有人受益为目标。
如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
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Toshiba:650V第3代SiC MOSFET,采用DFN8x8封装