Transphorm推出六款可與e-mode設備實現引腳對引腳相容的SuperGaN FET產品

全新產業標準的PQFN封裝可透過d-mode GaN輕鬆實現更高效能的直接替換

加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)是一家提供高可靠性、高效能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的領軍企業和全球供應商。該公司今日宣布推出六款採用產業標準PQFN 5x6和8x8封裝的表面黏著元件(SMD)。歸功於Transphorm專利SuperGaN^® d-mode雙開關常閉式平臺，這些SMD具有可靠性和性能優勢，並採用為競爭產品e-mode GaN元件常用的封裝組態。因此，這六款設備可在e-mode GaN解決方案中輕鬆用作第一設計來源，或用作引腳對引腳相容的直接替換和/或第二設計來源。

對於需要SuperGaN平臺提供額外熱效能的電力系統，Transphorm還提供經最佳化的高效能封裝SMD。不論何種封裝，考慮到d-mode組態使用的是與GaN HEMT配對的低壓碳化矽(SiC) MOSFET，所有Transphorm元件均具有易於設計和驅動的特點。該平臺組態還允許使用標準的現成控制器和/或驅動器，進而提高了Transphorm系列產品的卓越驅動性與可設計性。

Transphorm業務開發兼行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「Transphorm持續生產強大的GaN元件組合，涵蓋了當今最廣泛的功率範圍。我們透過推出這些產業標準封裝鞏固了公司的低功率策略，而這些都遵循最近宣布的與Weltrend Semiconductors共同開發的 SiP。無論是透過高效能封裝、引腳對引腳e-mode相容的產業標準封裝，抑或是系統級封裝，客戶現在可選擇如何利用SuperGaN的優勢。」

SuperGaN直接替換的優勢

經證明，採用SuperGaN d-mode FET替換e-mode FET元件能夠降低傳導損耗，提供更高的效能與更低的工作溫度，從而實現更長的使用壽命可靠性。這是由於與e-mode GaN常閉式設備相比，d-mode GaN常閉式設備從根本上具有內在優勢。最近的一次直接比較便可為此提供證明，該測試用72 mΩ SuperGaN技術替換了280 W遊戲筆記型電腦充電器中的50 mΩ e-mode設備：https://bit.ly/diraztbISP。

在充電器分析中，SuperGaN FET可在控制器的輸出電壓範圍內工作（而e-mode需要電平轉換），且溫度更低。SuperGaN的電阻溫度係數(TCR)比e-mode低約25%，有助於降低傳導損耗。此外，周邊元件數量減少了20%，表明物料成本亦更低。

產業標準的SMD系列產品

Transphorm的產業標準PQFN設備清單如下：